અર્ધવાહકમાં વહેતા કુલ વિદ્યુતપ્રવાહમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલનો ફાળો અનુક્રમે $\frac{3}{4}$ અને $\frac{1}{4}$ છે. જો આ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોનનો ડ્રિફ્ટ વેગ હોલના ડ્રિફ્ટ વેગ કરતા $\frac{5}{2}$ ગણો હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનું એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડથી $6 \ eV$ ઉપર છે. પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ જે હોલ બનાવી શકે તે કેટલી હશે ($nm$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \ eV \ nm$)

ધારો કે $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ ધરાવતા $Si$ સ્ફટિકમાં $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના $As$ નું ડોપિંગ કરીને $n$-ટાઈપ વેફર બનાવવામાં આવે છે. આ વેફરમાં $p$-વિસ્તાર બનાવવા માટે સપાટી પર $200 \text{ ppm}$ બોરોન ઉમેરવામાં આવે છે. $n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$ ધ્યાનમાં લઈને,$(i)$ $n$ અને $p$ વિસ્તારોમાં વિદ્યુતભાર વાહકોની ઘનતા ગણો. $(ii)$ જ્યારે ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે કયા વિદ્યુતભાર વાહકો રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટમાં મોટો ફાળો આપશે તે જણાવો.

જર્મેનિયમની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $2, 8, 18, 4$ છે. તેને એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી પદાર્થનું સ્વરૂપ શું હશે?

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય,તો ઉષ્મીય સંતુલનમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $(n_i)$ કેટલી થાય?

ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરેલ સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું હોય છે?